报告摘要

缺陷，特别是点缺陷，对半导体的物理特性有着至关重要的影响，决定其电、光学行为，并决定器件的性能优劣。目前，以硅材料为代表的半导体工艺精度已进入2~3nm阶段，人类制造技术的精度正从纳米尺度向原子精度推进，以原子和分子为单元构建器件的未来制造技术正走向现实。对于超高精度半导体器件制造科技发展，材料内部微观结构（特别是缺陷与掺杂）的准确表征与有效控制一直具有重要意义。随着半导体器件向尺寸更微小、结构更复杂、功能更强大的不断发展，点缺陷对半导体器件性能的影响更加放大，对点缺陷调控提出了更精准的需求。报告将讨论开展半导体点缺陷的单体表征与控制研究相关的科学难题及实验技术。

报告人简介

刘雷，国家杰出青年科学基金获得者（2015）。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员，发光学及应用国家重点实验室副主任；中国物理学会发光分会副主任，中国物理学会半导体物理专业委员会委员，尊龙凯时省物理学会副理事长。2010年，入选中国科学院高层次海外人才计划，并于2016年终期评估获优秀；2011年，被评为2011年尊龙凯时省百名高层次创新创业引进人才；2015年，获得国家杰出青年基金资助；2015年，入选尊龙凯时省第五批拔尖创新人才第一层次；2016年，获聘中国科学院特聘研究员。

主要从事单原子尺度精准的半导体光电材料表征与器件制造研究；发表《Science》、《Chemical Reviews》、《Physical Review Letters》等高水准学术论文100余篇，共被SCI他引13000余次。